[23a-E302-1~11] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[23a-E302-10] Contactless-Photoelectrochemical (CL-PEC) etching on process-damaged n-GaN surface

Hiroki Ogami¹, Yuto Osawa¹, Masachika Toguchi¹, Fumimasa Horikiri², Noboru Fukuhara², 〇Taketomo Sato¹ (1.Hokkaido Univ., 2.SCIOCS Co. Ltd.)

Keywords:GaN, etching, electrochemical process

これまでに我々は、n-GaN表面の加工損傷をPEC（Photoelectrochemical）エッチングにより除去可能であることを示した。装置セットアップを簡便化したCL-PEC（Contact-Less-PEC）エッチング法でも同等の効果が期待できるが、加工損傷面に対するエッチングレートやその制御性は未だ明らかとなっていない。本研究では、ICP-RIE加工を施したn-GaNに対してCL-PECを適用し、エッチングに必要なPEC条件を調査した。