[23a-E302-1~11] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23a-E302-10] n-GaN加工損傷面に対するコンタクトレス光電気化学（CL-PEC）エッチング

大神 洸貴¹、大澤 由斗¹、渡久地 政周¹、堀切 文正²、福原 昇²、〇佐藤 威友¹ (1.北大量集セ、2.サイオクス)

キーワード：窒化ガリウム、エッチング、電気化学プロセス

これまでに我々は、n-GaN表面の加工損傷をPEC（Photoelectrochemical）エッチングにより除去可能であることを示した。装置セットアップを簡便化したCL-PEC（Contact-Less-PEC）エッチング法でも同等の効果が期待できるが、加工損傷面に対するエッチングレートやその制御性は未だ明らかとなっていない。本研究では、ICP-RIE加工を施したn-GaNに対してCL-PECを適用し、エッチングに必要なPEC条件を調査した。