[23a-E302-1~11] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23a-E302-6] ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いたＧａＮ薄膜作製と評価に関する研究

桑原 翔太¹、宮本 卓哉¹、佐藤 祐貴¹、〇吉門 進三¹、竹本 菊郎²、宇野 裕行²、木村 直人²、高崎 正規² (1.同志社大工、2.ヤマナカヒューテック)

キーワード：窒化ガリウム薄膜、RFマグネトロンスパッタ、粉末あるいは単結晶ターゲット

純度99.999％以上のGaN粉末およびSiを添加したGaN単結晶ウェハターゲットを使用し，RFマグネトロンスパッタを用いて薄膜を作製した。基板に単結晶サファイア，放電ガスに窒素ガスを用いて，基板温度，製膜時間を変化させて製膜した。基板温度が500℃までは (002)面が優先配向し，さらに高くなると(002)面以外の(011)面や(010)面の成長も確認され，基板温度によって薄膜の配向性が変化した。