[23a-E302-1~11] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23a-E302-8] ハライド気相成長法による縦型GaN p-n接合ダイオードの作製

〇大西 一生¹、川崎 晟也¹、藤元 直樹²、新田 州吾²、渡邉 浩崇²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大ARC、4.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、p-n接合ダイオード、HVPE法

縦型GaNパワーデバイス構造の成長手法として高純度なGaNが高速成長できるハライド気相成長（HVPE）法が注目を浴びている。しかしながら, HVPE法を用いた縦型GaNパワーデバイスの作製報告例は乏しく, 有機金属気相成長法が使用されているのが現状である。そこで, 本研究では, n型GaN自立基板上にHVPE法のみを用いてn型ドリフト層およびp型層を連続的に成長させ, アバランシェ降伏を示す縦型GaN p-n接合ダイオードを作製したので報告する。