[23a-E302-1~11] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23a-E302-9] 多光子励起を用いた光化学エッチングによるGaN 3次元加工の検討

〇丹羽 ののか¹、川崎 晟也¹、隈部 岳瑠¹、田中 敦之²、出来 真斗³、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大ARC)

キーワード：窒化ガリウム

近年, 光電気化学エッチング法によるGaNのウェット加工が実現されてきた. しかし, この方法ではGaNの複雑な立体加工が難しい. そこで, 我々は光化学エッチングの正孔キャリアに半導体中で局所励起を可能とする多光子励起による正孔キャリアを用いることが出来れば, GaNの立体加工が可能になると考えた. GaNでダメージレスな多光子光化学エッチングの実現可能性について検討したので報告する.