[23a-F308-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-F308-1] X線ロッキングカーブ測定によるMg₂Si基板の評価(Ⅱ)

〇梅原 翼¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院)

キーワード：半導体、Mg2Si、X線

室温での禁制帯幅が約0.6eVのMg₂Siは、低コストで大量生産に適した短波長赤外域の受光素子材料として期待される。前回我々は、ウェハ加工技術の確立に向けて、XRCピークテールを用いた基板研磨表面の結晶性評価を報告したが、ピークに割れやω軸のずれが生じた。本研究では、手順を見直したうえで再び評価を行った結果を報告する。