[23a-F308-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-F308-2] Mg₂Si結晶のキャリア濃度と赤外吸収の関係(II)

〇土田 裕大¹、水沼 直樹¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院理工)

キーワード：Mg2Si、FTIR、IR absorption

我々はこれまでにn型Mg₂Siに見られる伝導帯間遷移に起因する0.4eVの光吸収ピークから、広範囲に渡って電子濃度を簡易に見積もれることを報告している。今後、光吸収を利用して定量的に電子濃度を見積もるためには、適切な測定条件とスペクトルの解析方法を確立する必要がある。今回、試料の光透過測定面積および厚さを調整すると共に0.4eV付近の吸収のピーク強度とピーク積分強度の関係についても評価を行なった。