[23a-F308-1~10] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[23a-F308-4] Single crystal growth and physical properties of NaAlSi

〇Takahiro Yamada¹, Daigorou Hirai², Toshiya Ikenobe², Hisanori Yamane¹, Zenji Hiroi² (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.ISSP, Univ. of Tokyo)

Keywords:superconductor, single crystal

NaAlSiは逆PbFCl型構造を有した層状構造化合物で，比較的高い転移温度(T_c = 7 K)を示すs-p電子超伝導体として知られている. これまでに多結晶体を用いて，主に磁化や電気抵抗に関する評価が行われてきたが，単結晶を用いて物性を評価した例はなく，超伝導性についての理解は十分ではない．本研究では，Na–Gaフラックスを用いてNaAlSiの単結晶を合成し，その超伝導性を電気抵抗率，磁化率および比熱によって評価した.