[23a-F407-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23a-F407-1] アンチモンサーファクタントによるGaPN混晶の結晶性改善効果

〇彦坂 昌志¹、山根 啓輔¹、岩土 遼介¹、平井 健登¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大工)

キーワード：結晶工学

Ⅲ-Ⅴ-N混晶は窒素(N)組成を制御することで格子定数とバンドギャップを調整することが可能であり，その中でGaAsPNはSiと格子整合する条件で太陽光スペクトルとマッチするため，Ⅲ-Ⅴ/Si多接合太陽電池への応用が期待できる。本講演ではGaAsPN太陽電池応用に向けて，その母材となるGaPN混晶の結晶成長時のアンチモン(Sb)供給による結晶性改善効果について紹介する．