[23a-F407-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23a-F407-7] InAs/GaAs(111)Aのメタモルフィック成長とその赤外線検出器応用

〇間野 高明¹、大竹 晃浩¹、川津 琢也¹、宮崎 英樹¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：赤外線検出器、InAs、GaAs

n-GaAs(111)A基板上に成長した格子緩和n-InAsを用いた赤外線検出器に関する研究を行った。界面での急峻な格子緩和により、ほぼ無歪のInAsが成長されている一方で比較的高密度の貫通転位が観察された。作製した赤外線検出器は、優れた電流電圧特性を示した。また、約3ミクロン近くに吸収端を持つ受光特性も確認された。簡便な手法で赤外線検出器を実現できる可能性があることが分かった。