[23a-F408-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [23a-F408-4] Ge-Te系不揮発周波数逓倍器の温度依存性とエンデュランス

〇(DC)殷 ユウヒ¹、内田 千尋¹、塚本 慶人¹、林 等¹、中岡 俊裕¹ (1.上智理工)

キーワード：導電ブリッジメモリ、不揮発周波数逓倍器、Ag-GeTe

Agなどの活性金属イオンが固体電解質である非晶質カルコゲナイド中を移動する異常拡散は，興味深い物理現象としてのみならず，センサー，CBRAMなど広い応用に向け研究されている。我々はAg-GeTe系CBRAMの非線形な電流-電圧特性に着目し，周波数逓倍特性を評価してきた。今回、不揮発周波数逓倍器のエンデュランス特性及び高温マイクロ波印加下でのリテンション測定結果を報告する。