[23a-F408-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[23a-F408-7] 配向制御したカルコゲナイド相変化材料薄膜

〇齊藤 雄太¹、畑山 祥吾¹、諸田 美砂子¹ (1.産総研デバイス技術)

キーワード：相変化材料、不揮発性メモリ、カルコゲナイド

Ge-Sb-Teに代表されるカルコゲナイド系相変化材料は不揮発性メモリに用いられており、アモルファスと結晶相の電気抵抗の違いでデータを記録する。メモリの低消費電力化や高耐熱性といった更なる特性向上を新材料によって達成しようとする研究が盛んである。相変化材料として使われている多くのテルライドは安定相として層状構造結晶になるものが多い。本発表では、最も典型的なGe-Sb-Te三元合金およびそれらを構成するGeTe、Sb₂Te₃二元化合物薄膜の配向制御について議論する。