[23a-F408-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[23a-F408-9] 熱歪みを受けたMnTe半導体薄膜の多形変化挙動

〇森 竣祐¹、王 吟麗¹、安藤 大輔¹、成田 史生²、須藤 祐司^1,3 (1.東北大工、2.東北大環境、3.東北大材料科学高等研究所)

キーワード：半導体薄膜、多形変化、熱応力

MnTe半導体薄膜は、NiAs型／ウルツ鉱型間での結晶構造の変化（多形変化）により物性が大きく変化し、極めて高速・省エネルギーな不揮発性メモリへの応用が期待される。本講演では、これらの結晶構造の安定性に重要と考えられる熱歪み（応力）の影響に注目し、応力による多形の制御に関する知見を発表する。