[23p-D113-1~19] 1.6 超音波

△ [23p-D113-16] SRO/Pt/Si基板上のTa₂O₅圧電薄膜の成膜と評価

〇(M1)松浦 佳祐¹、鈴木 雅視¹、垣尾 省司¹、小寺 正徳²、舟窪 浩² (1.山梨大、2.東工大)

キーワード：五酸化タンタル、バルク弾性波、単結晶

RFマグネトロンスパッタリング装置を用いてSRO/Pt/Si基板上に成膜したTa₂O₅薄膜の結晶構造及びBAW特性の評価を行った．
極点図からβ-Ta₂O₅がエピタキシャル成長しており，成膜レートを低くすると結晶性の高い膜が形成されることが分かった．膜厚を厚くすると一軸配向膜主体の膜となる．HBAR特性から，β-Ta₂O₅のk_t²は一軸配向膜に比べ小さかったが，結晶性が高くなるとk_t²も大きくなった．