[23p-D214-1~19] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[23p-D214-13] 中性粒子ビーム酸化により制御されたNb酸化膜厚が超伝導共振器性能に与える影響

〇(M2)紺野 太壱¹、大堀 大介¹、日高 睦夫³、野田 周一³、遠藤 和彦³、向井 寛人^4,5、朝永 顕成^4,5、蔡 兆申^4,5、寒川 誠二^1,2 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.産総研、4.東理大、5.理研RQC)

キーワード：超伝導共振器、Nb酸化膜、中性粒子ビームプロセス

超伝導量子コンピュータにおいて情報の伝達を行うNb超伝導共振器の性能向上が要求されている。Nb酸化層には絶縁体のNb₂O₅と金属的な性質を有するサブオキサイドがあり、サブオキサイドはNb超伝導共振器の損失を増加させ、Q値の低下につながっていることが示唆されている。本研究では、SF₆中性粒子ビーム(NB)を用いた低欠陥加工を行った試料に対して、表面酸化膜厚をNB酸化によって制御し、高いQ値が得られるNb表面酸化条件を検討した。