[23p-D214-1~19] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[23p-D214-15] 25 kA/cm² Nb/Al/AlO_x/Al/Nb接合を用いた単一磁束量子シフトレジスタの170 GHz動作

〇田中 雅光¹、山下 太郎¹、藤巻 朗¹、牧瀬 圭正^2,3、永沢 秀一³、日高 睦夫³ (1.名大工、2.国立天文台、3.産総研)

キーワード：超伝導体、サブテラヘルツ、集積回路

本稿では，Nb/Al/AlO_x/Al/Nb接合を用い，臨界電流密度を25 kA/cm2に向上させた作製プロセスで試作した，単一磁束量子シフトレジスタの高速動作実証について報告する．オンチップテストにより，最高170 GHzまでの正常動作を確認した。