[23p-E101-1~10] 一次元・二次元融合物質系：ナノチューブ・原子層・ヘテロ積層の科学

[23p-E101-3] 積層制御による二次元強誘電体の設計

〇安田 憲司¹ (1.マサチューセッツ工科大学)

キーワード：二次元物質、強誘電体、ファンデルワールス積層構造

二次元強誘電体は原子層レベルまで強誘電性が保持されるため、強誘電メモリへの応用の観点から注目を集めている。従来、これらの二次元強誘電体はバルクの層状化合物を剥離することで得られてきた。一方、これらの手法では極性の層状結晶が必要となるため、得られる強誘電体には大きく制限が課されていた。本研究では、ファンデルワールス積層技術を応用することで、強誘電性を持たない母物質から強誘電体を設計できることを示す。