[23p-E106-1~19] 13.9 Compound solar cells

△ [23p-E106-1] Defect formation mechanism in ZnSnP₂ bulk crystal growth

〇(M1)Isshin Sumiyoshi¹, Taro Kuwano¹, Yoshitaro Nose¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:photoluminescence, TRPL, carrier lifetime

当グループでは，ZnSnP₂バルク結晶を用いた太陽電池について最高変換効率3.87 %を報告したが理論変換効率には及ばない．ZnSnP₂バルク結晶に関して，少数キャリア寿命が約0.4 nsと非常に短いことや，PLにおいてバンド間遷移以外の弱い発光などが報告されており，これらの要因である欠陥に改善の余地がある．本研究では，ZnSnP₂バルク結晶の欠陥形成挙動に対して結晶成長における化学ポテンシャル変化等を基に考察を行った．