[23p-E106-1~19] 13.9 化合物太陽電池

[23p-E106-12] 構造及び吸収層厚さの検討によるInGaAsP 単接合太陽電池の高効率化

〇(M2)横田 莉子¹、渡辺 健太郎²、ソダーバンル ハサネット²、中野 義昭¹、杉山 正和^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：InGaAsP、リアヘテロ、エレクトロルミネッセンス

多接合太陽電池の高効率化に向け，InP に格子整合するInGaAsPサブセルの試作及び評価を行った.リアヘテロ構造において吸収層厚さの検討を行い，光吸収係数の小さい長波長領域では厚さに従って外部量子効率が増大する結果が得られた．一方，短波長領域ではほとんど差が生じていないことから，太陽電池内部で生成した キャリアを取り出すために，この厚さの範囲においては十分な拡散長を得られたといえる.