[23p-E106-1~19] 13.9 化合物太陽電池

[23p-E106-3] スパッタリング法による正方晶ジルコン型BiVO₄光電極の作製

〇(M1)上園 波輝¹、カキ リュウ¹、シュクル ゴフロブ¹、イスラム ムハマド モニルル¹、池田 茂²、櫻井 岳暁¹ (1.筑波大、2.甲南大)

キーワード：光電極、バナジン酸ビスマス、スパッタリング

本研究ではスパッタリング法によるバナジン酸ビスマス（BiVO₄）光電極の作製を行った。3種類あるBiVO₄の結晶構造のうち単斜晶シーライト（m-s）構造と正方晶ジルコン（t-z）構造について、成膜パラメータである基板温度とRF電力を調節することによって選択的に作製した。