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[23p-E106-8] 陽子線および電子線照射がリン系希薄窒化物太陽電池の光起電力特性に与える効果
キーワード:希薄窒化物半導体、陽子線照射、太陽電池
リン系III-V-N混晶は、Si基板上に格子整合条件で作製可能であることから、III-V/Si多接合太陽電池等への応用が期待できる。最近、希薄窒化物混晶に陽子線あるいは電子線を照射した際に特異な結晶性改善効果が見出された。これは、放射線照射により劣化する一般的なIII-V族太陽電池とは全く異なる結果であり、興味深い物理現象である。本稿では、実験結果と理論計算の両側面から、この結晶性改善メカニズムを検討する。