[23p-E106-1~19] 13.9 化合物太陽電池

△ [23p-E106-9] GaPN混晶中の空孔型欠陥と窒素起因点欠陥の反応・消滅メカニズムの理論的解析

〇大根 駿¹、山根 啓輔¹、牧 唯人¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：第一原理計算、点欠陥、陽子線・電子線照射

III-V-N混晶は窒素起因点欠陥がデバイスの特性悪化を引き起こすことが課題とされている。我々は第一原理計算によって、リン空孔が存在する場合、リン空孔を介してV族サイト置換の窒素対の消滅が可能であることを報告してきた。本研究では、V族サイト置換の窒素リン対や格子間窒素のような窒素起因点欠陥に関して解析を行った。結論として、リン空孔導入により窒素起因点欠陥を効率的に消滅させることが確認できた。