[23p-E202-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-E202-9] Study of in-gap luminescence from the evaluation of non-radiative recombination

〇Masatomo Sumiya¹, Yuya Morimoto², Atsushi Yamaguchi², Shuhei Yashiro³, Toru Honda³ (1.NIMS, 2.KIT, 3.Kougakuin Univ.)

Keywords:Defect levels in GaN band gap, non-radiative recombination, In-gap luminescence

我々は非輻射再結合の際に発生する熱を屈折率変化（光熱偏向分光法 (PDS））や音（光音響分光法（PAS））で検出することによってIII-V族窒化物半導体のギャップ内欠陥準位や発光内部量子効率の検討を行ってきた。今回、PDSによるギャップ内準位の相対強度の観点からGaN薄膜からの室温でのギャップ内準位に関連する発光について検討を行った。