[23p-E204-1~13] 6.3 Oxide electronics

[23p-E204-8] Accurate estimation of surface recombination velocity for SrTiO₃ using angle-lapped structures

Yosuke Kato¹, 〇Masashi Kato¹ (1.NITech)

Keywords:SrTiO3, single crystal, surface recombination

SrTiO₃は太陽光のみを利用した水素製造を可能にする光触媒として期待されている。半導体を光触媒として利用するには、半導体内部で生成された電子正孔対が触媒反応に寄与しなければならないため、キャリアの再結合現象の理解は重要である。特にキャリアの再結合において表面再結合速度Sを精密に評価することは、表面によって駆動される光触媒にとって重要である。我々はこれまで単結晶SrTiO₃を用いてSを評価してきたが、試料の厚みがあるため見積もられたSの精度には制限があった。そこで本研究では斜め研磨した試料を用い、キャリア寿命の厚み依存性を測定することで、Sの高精度評価を試みた。