[23p-E206-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

[23p-E206-13] ドナー・アクセプタ型高分子を用いたnチャネル有機トランジスタメモリのデバイス特性

〇(M1)西田 直之¹、服部 励太郎¹、永瀬 隆^1,2、小林 隆史^1,2、内藤 裕義^1,2 (1.大阪府立大、2.大阪府立大　分子エレクトロニックデバイス研)

キーワード：有機フローティングゲートメモリ、ドナー・アクセプタ型高分子半導体、有機電界効果トランジスタ