[23p-E206-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

[23p-E206-2] 和周波発生分光法によるOFETのゲートバイアスストレスの観測

〇(M2)大橋 直弥¹、磯邉 岳晃¹、田中 有弥^1,2、石井 久夫^1,2,3、宮前 孝行^1,3 (1.千葉大院融合、2.千葉大先進、3.千葉大分子キラリティ)

キーワード：有機電界効果トランジスタ、ゲートバイアスストレス、和周波発生分光法

本研究では、半導体層に異なるBTBT誘導体を用いた2種類のOFETを作成した。IV測定を行ったところ、一方に顕著なバイアスストレスが見られた。そこで、異なるゲート電圧条件でOFETチャネル部をSFG分光法でプローブしたところ、バイアスストレスの強い試料の測定で、界面での電荷トラップに由来する内部電界の変化をプローブすることに成功した。バイアスストレスと界面での電荷トラップの相関について議論する。