[23p-E206-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

[23p-E206-4] 有機半導体における電子と正孔の移動度の差とその微視的起源

〇石井 宏幸¹、吉田 弘幸^2,3、小林 伸彦¹ (1.筑波大数物、2.千葉大院工、3.千葉大MCRC)

キーワード：有機半導体、電荷輸送シミュレーション、ポーラロン

有機半導体の電子移動度は正孔移動度に比べて一桁低く、正孔と同程度に高移動度な電子輸送性有機半導体が望まれている。その材料開発には電荷（電子・正孔）輸送機構の微視的理解が必要不可欠である。本発表ではこれまで私たちが開発してきた「ポーラロンと動的乱れの統合理論モデル」を改良し、電子輸送性半導体として知られるPDIやNDIの伝導機構と正孔輸送性半導体であるDNTTやDNBDTなどを系統的に調べ、電子移動度が低下する微視的要因を議論する。