[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23p-E302-11] ホモエピタキシャル成長GaN pn接合ダイオードの逆方向電流-電圧特性に現れるピークの起源

〇大橋 拓斗¹、兼近 将一²、近藤 健²、上杉 勉²、冨田 一義²、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：欠陥

縦型GaNパワーデバイスは次世代パワーデバイスとして研究が進んでいる．その構成要素であるpn接合の特性を把握・理解することは重要である．我々はホモエピタキシャル成長GaN pn接合ダイオードの逆方向電流-電圧特性において，特異なピークとヒステリシスを観測した．その起源について詳しく調べたので報告する．