[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23p-E302-12] 多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案

〇八木 誠¹、川崎 晟也¹、隈部 岳瑠¹、安藤 悠人²、田中 敦之²、出来 真斗^1,4、久志本 真希¹、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.赤﨑記念研究センター、4.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、伝導度変調

GaNは再結合寿命が短く, バイポーラデバイスにおいて伝導度変調は発生しにくいが, 縦型GaN p-nダイオードにおいて抵抗領域での伝導度変調による直列抵抗が低下した報告がある. ​伝導度変調機構の解析に向け, 空間的に狭い箇所に絞ってキャリアを生成できる多光子励起顕微鏡を用いて微小領域にキャリアを注入しながら順方向I-V測定を行うことで, ダイオード内部のキャリア分布測定を試みた.