[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23p-E302-13] 縦型p-n接合ダイオードにおける貫通転位による耐圧近傍での微小電流増加

〇權 熊¹、川崎 晟也¹、渡邉 浩崇²、田中 敦之²、出来 真斗^1,3、新田 州吾²、本田 善央²、池田 宏隆⁴、磯 憲司^2,4、天野 浩^2,3,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大 VBL、4.三菱ケミカル、5.赤﨑記念研究センター)

キーワード：低転位密度GaN基板、p-n接合ダイオード、逆方向リーク電流

貫通転位密度(TDD)の異なるGaN自立基板を用いて耐圧900Vの縦型p-n接合ダイオードを作製し、逆方向J-V特性について評価した。TDDが2.08×10³[cm^-2]であるデバイスは耐圧より38[V]低い電圧から電流が増加し、TDDが1.27×10⁵[cm^-2]であるデバイスは耐圧より73[V]低い電圧から電流が増加した。TDDが高くなるほど、低い電圧から電流が増加する傾向が確認された。