[23p-E302-1~18] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [23p-E302-15] Junction Diameter Dependence of Oscillation Characteristics of GaN IMPATT Diode

〇Seiya Kawasaki¹, Takeru Kumabe¹, Yuto Ando², Manato Deki^1,3, Hirotaka Watanabe², Atsushi Tanaka², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Manabu Arai², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.VBL, Nagoya Univ., 4.ARC, Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, IMPATT diode, microwave

GaN IMPATTダイオードにおいて素子の接合直径が発振特性、特に発振周波数に与える影響について調査した。その結果、接合直径が小さくなるに従い、発振周波数は増加していき、得られた発振周波数の接合直径依存性はSi ミリ波IMPATTダイオードと同様のモデルでよく説明できることが分かった。