[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23p-E302-15] GaN IMPATTダイオードにおける発振特性の接合直径依存性

〇川崎 晟也¹、隈部 岳瑠¹、安藤 悠人²、出来 真斗^1,3、渡邉 浩崇²、田中 敦之²、新田 州吾²、本田 善央²、新井 学²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大VBL、4.赤﨑記念研究センター)

キーワード：GaN、IMPATT ダイオード、マイクロ波

GaN IMPATTダイオードにおいて素子の接合直径が発振特性、特に発振周波数に与える影響について調査した。その結果、接合直径が小さくなるに従い、発振周波数は増加していき、得られた発振周波数の接合直径依存性はSi ミリ波IMPATTダイオードと同様のモデルでよく説明できることが分かった。