[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23p-E302-17] アニールしたMg層による低濃度p型GaNへの接触抵抗低減

〇陸 順¹、出来 真斗²、王 嘉³、大西 一生¹、安藤 悠人³、渡邉 浩崇³、隈部 岳瑠¹、新田 州吾³、本田 善央³、天野 浩^2,3 (1.名大院工、2.名大VBL、3.名大未来材料・システム研究所)

キーワード：窒化ガリウム、オーミック接触

本研究では、アニールしたMg層を用いてp⁺層を有しない低濃度p-GaN(Mg濃度: 1.3×10¹⁷ cm^-3)へのオーミック接触を試みた。Mgアニール層有りの条件にてオーミック性を示し、この時のρ_cは0.158 Ωcm² であった。STEM-EDX、XPS、Hall効果測定からp-GaNの表面バンド曲がりがMgアニール層によって緩和されていることが示唆された。