[23p-E302-1~18] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [23p-E302-2] Characterization of photoionization cross section ratios of electron traps in n-type GaN by optical ICTS using sub-bandgap-light irradiation

〇Meguru Endo¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:Semiconductor, GaN, Photoionization

半導体デバイスの性能・信頼性向上に向けて，深い準位の理解は必要不可欠である．これまで，深い準位に関する物性の一つである光イオン化断面積を特定のトラップに対して評価することは困難であった．本研究では，サブバンドギャップ光照射ICTSにおいて光パルス，電気パルスの印加シーケンスを工夫することで特定の電子トラップの光イオン化断面積比を評価する手法を考案し，n型GaN中の電子トラップをモデルケースに実際に評価を行った．