[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23p-E302-2] サブバンドギャップ光照射ICTSによるn型GaN中電子トラップの光イオン化断面積比の評価

〇遠藤 彗¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、光イオン化

半導体デバイスの性能・信頼性向上に向けて，深い準位の理解は必要不可欠である．これまで，深い準位に関する物性の一つである光イオン化断面積を特定のトラップに対して評価することは困難であった．本研究では，サブバンドギャップ光照射ICTSにおいて光パルス，電気パルスの印加シーケンスを工夫することで特定の電子トラップの光イオン化断面積比を評価する手法を考案し，n型GaN中の電子トラップをモデルケースに実際に評価を行った．