[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23p-E302-4] 超低濃度Siイオン注入GaNにおける実効ドナー密度深さ方向分布のアニール温度依存性

〇井口 紘子¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、シリコン

Siイオン注入後の1200 ℃のアニールによってn型GaNが形成できることがこれまでに報告されているが、Siイオン注入とその後のアニールにより形成される欠陥についての詳細は、Mgイオン注入GaNほど明らかになっていない。Siイオン注入欠陥の挙動を明らかにするため、n型GaN層に対して超低濃度でSiをイオン注入し、アニールを行った試料の実効ドナー密度の深さ方向分布を調べた結果について報告する。