[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23p-E302-5] 超高圧アニールによるMg拡散を用いたp型ゲートAlGaN/GaN HEMTの閾値電圧制御

〇山下 隼平¹、渡邉 浩崇²、安藤 悠人²、田中 敦之²、出来 真斗^1,3、新田 州吾²、本田 善央²、Michal Bockowski^2,5、加地 徹²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大VBL、4.名大ARC、5.UNIPRESS)

キーワード：窒化ガリウム

AlGaN/GaN HEMTは2DEGをチャネルとして利用するため低損失なデバイスが実現できるが，ノーマリーオフ化が困難である．ノーマリーオフ動作実現の報告例としてリセス構造を形成し，リセス部にp型窒化ガリウムを再成長させたものがあるが, より簡単なプロセスでp型ゲートを形成する方法として超高圧アニール(UHPA)によるMg拡散に着目した．本研究ではUHPAによりp-GaN中のMgをAlGaN層に局所的に拡散させることでp型ゲートAlGaN/GaN HEMTの閾値電圧制御を試みた.