[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23p-E302-8] 無転位GaN p-n接合における逆バイアス下のバンド間トンネルリーク電流

〇成田 哲生¹、庄司 智幸¹、長里 喜隆²、兼近 将一³、近藤 健³、上杉 勉³、冨田 一義³、池田 智史²、森 朋彦¹、山口 聡¹、木本 康司¹、小島 淳³、須田 淳³ (1.豊田中研、2.ﾐﾗｲｽﾞ・ﾃｸﾉﾛｼﾞｰｽﾞ、3.名古屋大)

キーワード：窒化物半導体、p-n接合、パワーデバイス

ほぼ無転位のGaN p-n 接合において、逆方向リーク電流がバンド間トンネル電流に支配されることを明らかにした。バンド間トンネルリーク電流は、耐圧1000 V級のp-n接合では検出下限であり、高耐圧素子では実用上問題ないことが分かった。