[23p-E304-1~6] レーザープロセシング技術×AIの最新研究動向

[23p-E304-5] AIによるSi薄膜トランジスタの電気特性推定

〇池上 浩^1,2、倉重 貴行¹、永野 貴寛¹、片山 慶太¹、柿本 祥明²、中村 大輔¹、後藤 哲也³ (1.九大シス情、2.九大ギガフォトン部門、3.東北大未来研)

キーワード：AI解析、レーザーアニール、半導体デバイス

半導体デバイスにおけるAI解析は，従来方式では解析が困難な複雑プロセスに対して威力を発揮している。配線層やガラス基板などの耐熱性の低い絶縁膜上形成される薄膜トランジスタ(TFT)製造は，レーザーアニールによるプロセス低温化とともに発展してきた。本講演では，poly-Si TFTを題材とし，レーザーアニール後のpoly-Si薄膜表面の光学顕微鏡像の深層学習によるTFT電気特性の推定を試みたのでその結果を報告する。