[23p-E307-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23p-E307-20] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (3) -ドナー型準位-

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：MOS界面、両性欠陥、電子捕獲素過程

前講演に続いて本講演ではもう一つの単純で基本的な素過程と考えられる，Donorlike準位における伝導帯電子の捕獲過程を取り上げる．この目的に適した単一欠陥の選択法や評価法は講演で述べるが，5つの試料の測定から得た捕獲時定数は3〜20 nsであった．前講演のAcceptorlike準位への伝導帯電子捕獲時定数（56±4 ns）に比べて小さく，かつ，幅のある値を示す物理的理由についても考察する．