[23p-E307-1~20] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[23p-E307-3] [The 13th Silicon Technology Division Young Researcher Award] Theoretical analysis on Hall mobility in SiC MOS inversion layers considering interface states

〇Hajime Tanaka¹, Nobuya Mori¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:SiC, mobility, interface states

炭化ケイ素（SiC） MOSFET は高耐圧パワーデバイスとして実用化が進んでいるが，その反転層移動度を記述する理論モデルは確立されていない．本研究では，SiC MOS界面に存在する高密度の界面準位を考慮して，SiC MOS反転層における電子散乱過程の定式化を行った．このモデルに基づき，モンテカルロシミュレーションによるHall移動度の計算を行い，実験結果と比較しつつその振る舞いを解析した．