[23p-E307-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23p-E307-8] 単一デバイスを用いたMOSFETの寄生抵抗抽出法

〇竹内 潔¹、水谷 朋子¹、更屋 拓哉¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：MOSFET、寄生抵抗、直列抵抗

MOSFETの設計やモデリングにおいて直列寄生抵抗を正しく見積もることは必須である。今回、対象とする単一デバイスの電流対電圧特性から見通し良く寄生抵抗を抽出する手法を考案したので紹介する。本手法は「曲線群の収束」に基づく最適化と弱い速度飽和の考慮を特徴とし、その妥当性はTCADおよび実測により確認された。