[23p-F308-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23p-F308-11] リンイオン注入によるn+層の形成とMg₂Si-PDの分光感度特性

〇中村 陸斗¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院)

キーワード：マグネシウムシリサイド、フォトダイオード、イオン注入

我々は、短波長赤外センサ用にMg₂Si- pn接合フォトダイオード（PD）を開発している^[1]。今後イメージングデバイス化を目指すにあたり、裏面入射型PDの形成プロセスを検討しており、裏面のn+層の形成温度の低温化が課題の一つになっている^[2]。これまで、リンイオン注入と低温熱処理で裏面n+層の形成を実現し、そのMg₂Si- pn接合PDにおいて良好な電流電圧（I-V）特性が得られ、分光感度を示すことを報告している^[3]。今回、作製したPDの分光感度特性の詳細な解析を行ったので報告する。