[23p-F308-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23p-F308-14] Ge薄膜伝導帯下端構造の膜厚依存性：第一原理的研究

〇山内 淳¹ (1.慶大理工)

キーワード：ゲルマニウム、第一原理計算、薄膜

(001),(110),(111)面のGOIを念頭に、第一原理計算によって、Geのバルクから薄膜までの伝導帯下端構造の変化を調べた。電子谷構造はバルクにおける有効質量モデルに半定量的にしたがい、(001)面では膜厚1.5nmでバルクの下端であるL点起因の谷からΔ２への最低エネルギー谷の入れ替わり、など興味深い結果が得られた。