[23p-F308-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23p-F308-3] スパッタ堆積時におけるB-doped BaSi₂膜の作製と評価

〇長谷部 隼¹、小板橋 嶺太¹、木戸 一輝¹、山下 雄大¹、召田 雅実²、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大、2.東ソー株式会社)

キーワード：半導体、スパッタリング、太陽電池