[23p-F308-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23p-F308-7] 低温STMによるInAs p-n接合の空乏層解析

〇鈴木 恭一¹、小野満 恒二²、蟹澤 聖² (1.福岡工大、2.NTT物性基礎研)

キーワード：p-n接合、走査トンネル顕微鏡

走査トンネル顕微鏡(STM)および走査トンネル分光(STS)を半導体デバイスに適用することで，内部のポテンシャル変化や波動関数の2乗である存在確率分布を実空間で観測・解析できる．今回我々は，InAs p-n接合断面における低温STM/STSの結果を基にエネルギーバンドプロファイルを解析し，空乏層幅およびドーパントのイオン化率を同定した．