[23p-P03-1~3] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[23p-P03-1] アニールによるナノ共振器シリコンラマンレーザの内部欠陥変化

〇(M1)生田 俊輔¹、浅野 卓²、野田 進²、高橋 和¹ (1.大阪府大院工、2.京大院工)

キーワード：ナノ共振器シリコンラマンレーザ、近赤外低温カソードルミネッセンス測定、アニール

前回我々は，近赤外低温カソードルミネッセンス（CL）測定によるSOI基板の内部欠陥評価を報告した．光通信波長帯において，転位欠陥に関係するD1（1530 nm），D2（1420 nm）発光ピークが観測され，アニールを加えることで，欠陥が減少することも分かった．これらの欠陥ピークはQ_absの原因となっている可能性がある．今回，異なるアニール条件で作製したナノ共振器のQ_exp値とCLスペクトルの関係を調べたので報告する．