[23p-P06-1~16] 6.4 薄膜新材料

[23p-P06-2] MnドープITO薄膜に対するスパッタエピタキシー技術の開発と物性評価

〇北川 彩貴¹、川村 亮人¹、武久 進太郎¹、中村 敏浩^1,2 (1.京大院人環、2.京大国際高等教育院)

キーワード：透明導電膜、希薄磁性半導体、エピタキシャル成長

本研究では, 酸化物系の希薄磁性半導体であるMnドープITO薄膜に着目した. この物質はITO薄膜に少量のMn磁性元素を添加したものであり, 低い電気抵抗率と可視光領域の高い透過率に加えて室温強磁性を発現する. 本研究では, MnドープITO薄膜に対するエピタキシャル成長技術を開発し, 薄膜の電気・光学・磁気特性を評価した. エピタキシャル成長したMnドープITO薄膜は, 多結晶膜よりも優れた磁気特性を示すことが明らかになった.