[23p-P07-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23p-P07-1] GaAsPN太陽電池材料中における窒素起因点欠陥の形成に関する第一原理計算

〇(B)中川 竜希¹、山根 啓輔¹、大根 駿¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：GaAsPN、第一原理計算、N起因点欠陥

GaAsPNは、バンドギャップおよび格子整合の観点からSi基板上多接合型太陽電池材料として期待されている。一方で、V族サイトに窒素対が置換された(N-N)_Vは、バンドギャップ中に深いエネルギー準位を形成し、光学特性に多大な影響を及ぼすとされている。本研究では、GaAsPNにおけるN起因点欠陥の形成機構について理論的に解明することを目的とし、第一原理計算をった。