[23p-P07-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23p-P07-2] 陽子線照射を施した GaPN 混晶における高速熱処理の効果

〇(B)餅田 湖¹、山根 啓輔¹、平井 健登¹、大島 武²、中村 徹哉³、今泉 充³、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大、2.量子科学技術研究開発機構、3.宇宙航空研究開発機構)

キーワード：GaPN 混晶、高速熱処理、陽子線

Ⅲ-V族希薄窒化物混晶は高い理論変換効率を見込めることから、次世代のⅢ-V/Si多接合太陽電池材料として期待されている。一般的にⅢ-V-N混晶では、高速熱処理(RTA)を施すことで、結晶性が改善されることが知られている。さらに最近、陽子線を照射したGaAsPNにRTAを行うことで、RTAのみの場合に比べ発電効率が向上することが発見された。しかしながら、この場合のRTAの効果は未解明のままである。本研究ではGaAsPNの母材であるGaPNに陽子線照射を行い、未照射のサンプルと光学的特性を比較することでRTAの効果を解明する。